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        英特爾將展示配備能效核的特殊芯片 采用背面供電,Intel 4工藝制造

        發表日期:2023-06-30        文章編輯:管理員         閱讀次數:

        英特爾在2021年7月的“英特爾加速創新:制程工藝和封裝技術線上發布會”上,展示了一系列底層技術創新,這些技術將驅動英特爾到2025年乃至更遠未來的新產品開發。其中包括了PowerVia技術,這是英特爾獨有的、業界首個背面電能傳輸網絡(PDN),通過消除晶圓正面供電布線需求來優化信號傳輸,原計劃在Intel 20A制程節點引入。

        據TomsHardware報道,2023年VLSI技術和電路研討會將于2023年6月11至16日在日本京都舉行,英特爾將在這次活動上披露PowerVia技術的研究成果,展示一款特別定制的芯片。其采用了背面供電,配備了未命名的能效核,以Intel 4工藝制造,以便向那些有興趣使用英特爾代工服務(IFS)的潛在客戶展示新技術的有點。作為實驗性的芯片,應該不會量產使用的。

        據了解,這顆特殊的芯片基于的能效核可能是新的架構,推測為Crestmont架構,利用PowerVia技術讓核心大部分區域實現了超過90%的標準單元利用率,頻率也提高了5%以上。盡管不能評估其實際工作負載中的表現,但英特爾稱測試芯片達到了預期效果,有著更高功率密度,似乎說明了新技術的應用非常有效。

        背面供電設計助于解決后端線路(BEOL)中電阻增加等問題,這可以提高晶體管的性能并降低功耗,同時也消除了數據和電源連接之間的潛在干擾,另外還可以減少面積,可能會讓晶體管密度更高。除了英特爾以外,三星也計劃使用一種稱為“BSPDN”的技術,用于2nm芯片上。

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